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HAT2199R-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 13.0mΩ typ. (at VGS= 10 V)

文件:114.39 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NJM2199

SRS 3D SURROUND AUDIO PROCESSOR

文件:63.56 Kbytes 页数:10 Pages

NJRC

日本无线

NJM2199D

SRS 3D SURROUND AUDIO PROCESSOR

文件:63.56 Kbytes 页数:10 Pages

NJRC

日本无线

NJM2199V

SRS 3D SURROUND AUDIO PROCESSOR

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NJRC

日本无线

详细参数

  • 型号:

    HAT2199R-EL-E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多HAT2199R-EL-E供应商 更新时间2026-7-22 17:23:00