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HAT2266H	文件：95.01 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HAT2266H_15	文件：111.53 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HAT2266H-EL-E	文件：95.01 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN2266	文件：247.21 Kbytes Page：16 Pages	SLICbasedsystemprotectionforEuropeanandAsianmarkets	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AN-E-2266A	文件：323.68 Kbytes Page：22 Pages	VACUUMFLUORESCENTDISPLAYMODULE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BA2266A	文件：239.32 Kbytes Page：2 Pages	RadioServocontroller RadioServoController	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BD2266G-M	文件：615.45 Kbytes Page：37 Pages	CurrentLimitHighSideSwitchICs GeneralDescription BD226xG-Mseriesarelowon-resistanceN-channel MOSFEThigh-sidepowerswitches,optimizedfor UniversalSerialBus(USB)applications.BD226xG-M seriesareequippedwiththefunctionofover-current detection,thermalshutdown,under-voltagelockout andsoft-start. F	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD2266G-MGTR	文件：615.45 Kbytes Page：37 Pages	CurrentLimitHighSideSwitchICs GeneralDescription BD226xG-Mseriesarelowon-resistanceN-channel MOSFEThigh-sidepowerswitches,optimizedfor UniversalSerialBus(USB)applications.BD226xG-M seriesareequippedwiththefunctionofover-current detection,thermalshutdown,under-voltagelockout andsoft-start. F	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD2266G-MGTR	文件：616.01 Kbytes Page：37 Pages	CurrentLimitHighSideSwitchICs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
CHA2266	文件：166.28 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMonolithicMicrowaveIC	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
CHA2266	文件：226.56 Kbytes Page：8 Pages	12.5-17GHzLow-NoiseDriverAmplifier	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
CHA2266	文件：124.94 Kbytes Page：7 Pages	12.5-17GHzLow-NoiseDriverAmplifier Description TheCHA2266isaselfbiased,low-noisehighgaindriveramplifier.ItisdesignedmainlyforVSATapplicationsinKu-band.ThebacksideofthechipisbothRFandDCgrounded.Thishelpstosimplifytheassemblyprocess. MainFeatures ■Broadbandperformance12.5–17GHz ■2.5dBnoi	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
H2266	文件：4.94098 Mbytes Page：712 Pages	Renesas16-BitSingle-ChipMicrocomputerH8SFamily/H8S/2200Series	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HME2266	文件：174.16 Kbytes Page：4 Pages	Armoireautoportantemodulaireenacierdouxdetype12	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
HME2266	文件：114.32 Kbytes Page：1 Pages	PAINTEDTEXTUREDGRAYRAL7035	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
MAX2266	文件：419.69 Kbytes Page：12 Pages	RFInput/OutputMatchedfor824MHzto849MHzOperation	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX2266EUE	文件：183.96 Kbytes Page：16 Pages	2.7V,Single-Supply,Cellular-BandLinearPowerAmplifiers GeneralDescription TheMAX2264/MAX2265/MAX2266poweramplifiersaredesignedforoperationinIS-98-basedCDMA,IS-136-basedTDMA,andPDCcellulartelephonesoperatinginthe900MHzrange.WhenmatchedforCDMAoperationandbiasedwithmarginovertheadjacentandalternatechannelspecificati	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX2266EVKIT	文件：419.69 Kbytes Page：12 Pages	RFInput/OutputMatchedfor824MHzto849MHzOperation	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MT2266	文件：83.93 Kbytes Page：2 Pages	RFSILICONANDSUBSYSTEMSSOLUTIONSFORBROADBANDCOMMUNICATIONSANDAUTOMOTIVEELECTRONICS	MICROTUNE Microtune
NJM2266	文件：178.26 Kbytes Page：4 Pages	3-INPUTVIDEOSUPERIMPOSERWITH6dBAMPLIFIER????	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社

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详细参数

型号：
HAT2266H
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A 5LFPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT2266H供应商更新时间2024-4-27 15:30:00

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