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HAT2204C-EL-E	文件：139.59 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HM2204D	文件：489.66 Kbytes Page：10 Pages	14VStep-upDC/DCConverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-2204	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HO-P-2204	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HT2204L	文件：611.27 Kbytes Page：24 Pages	LCDMODULE(240횞RGB횞320Dots)	HYES HYES Optoelectronics, Inc.	HYES
IIRF2204	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3.6mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2204	文件：141.6 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3.6mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2204L	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204LPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
HAT2204C-EL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT2204C-EL-E供应商更新时间2025-6-19 14:00:00

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