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HAT2183WP	文件：97.87 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：97.87 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2183WP_15	文件：111.16 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：111.16 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IP2183	文件：673.67 Kbytes Page：7 Pages	TYPEC/PD2.0/PD3.0 Physical Layer IC for USB TYPEC input Interfaces 1. Features  Support TYPEC/PD2.0/PD3.0 UFP mode for USB TYPEC input port  Auto-detect USB connection condition  Integrate USB Power Delivery (PD2.0/PD3.0) protocol  Integrate hardware bi-phase Mark Coding (BMC) over CC  Integrate physical layer  Hardware CRC protect data integrity 文件：673.67 Kbytes 页数：7 Pages	INJOINIC 英集芯科技	INJOINIC
IR2183	文件：386.11 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2183(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS o 文件：386.11 Kbytes 页数：22 Pages	IRF	IRF
IR2183	文件：288.16 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：288.16 Kbytes 页数：22 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
HAT2183WP
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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