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HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：98.14 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.5 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：118.37 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.5 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：118.37 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
OUTLINE COUP 文件：80.49 Kbytes 页数：1 Pages | IPP | IPP |
详细参数
- 型号：
HAT2167H-EL-E
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
SOT23-3 |
5300 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
SOT-4 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
SOT-669 |
84 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
SOT-4 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
LFPAK |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
SOT-669 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
松下 |
25+23+ |
SOP |
15813 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
18+ |
LFPAK |
30596 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
REN |
19+ |
LFPAK |
16200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
24+ |
LFPAK |
9860 |
原装现货/放心购买 |
询价 |
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