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HAT2169H	文件：89.35 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=2.8mΩtyp.(atVGS=10V)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2169H-EL-E	文件：89.35 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=2.8mΩtyp.(atVGS=10V)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2169H_15	文件：108.84 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2169N	文件：107.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IPP-2169	文件：77 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
ISG2169	文件：342.89 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Verytightparameterdistribution ·LowVCEsat ·LowEMI APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·Inductivecooking ·Softswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ME2169	文件：438.985 Kbytes Page：14 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
ME2169LED	文件：257.179 Kbytes Page：6 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
MIC2169	文件：207.84 Kbytes Page：15 Pages	500kHzPWMSynchronousBuckControlIC	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIC2169	文件：160.03 Kbytes Page：14 Pages	500KHZPWMSYNCHRONOUSBUCKCONTROLIC GeneralDescription TheMIC2169isahigh-efficiency,simpletouse500kHzPWMsynchronousbuckcontrolIChousedinasmallMSOP-10package.TheMIC2169allowscompactDC/DCsolutionswithaminimalexternalcomponentcountandcost. Features •3Vto14.5Vinputvoltagerange •Adjustableout	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel

详细参数

型号：
HAT2169H
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 50A 5FLPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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