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HAT2169H	文件：89.35 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：89.35 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2169H-EL-E	文件：89.35 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：89.35 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2169H_15	文件：108.84 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：108.84 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2169H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
LFPAK
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
6
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
3.5
Ciss (pF) 典型值：
6650
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only
QG (nC) 典型值：
45

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT2169H供应商更新时间2025-11-30 23:00:00

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