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HAT2172H-EL-E	文件：89.32 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.32 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RF2172	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISM BAND 3.6V, 250MW AMP WITH ANALOG GAIN CONTROL Product Description The RF2172 is a medium-power high efficiency amplifier IC targeting 3.6V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in 2.45GHz Bluetooth a 文件：292.11 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2172PCBA-H	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISM BAND 3.6V, 250MW AMP WITH ANALOG GAIN CONTROL Product Description The RF2172 is a medium-power high efficiency amplifier IC targeting 3.6V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in 2.45GHz Bluetooth a 文件：292.11 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2172PCBA-L	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISM BAND 3.6V, 250MW AMP WITH ANALOG GAIN CONTROL Product Description The RF2172 is a medium-power high efficiency amplifier IC targeting 3.6V handheld systems. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in 2.45GHz Bluetooth a 文件：292.11 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

详细参数

型号：
HAT2172H-EL-E
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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