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HAT2218R	文件：139.35 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2218R	文件：1.52038 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HAT2218R-EL-E	文件：139.35 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDCP2218	文件：105.69 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors-Non-Shielded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IDCP-2218	文件：104.41 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors-Non-Shielded FEATURES •Highenergystorage •Lowresistance •Tapeandreelpackagingforautomatichandling •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 MATERIALS Core:ferrite Wire:enamelledcopperwire Terminals:NiandSn/Ag/Cu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IDCP-2218	文件：127.1 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductor SMDMagneticsPackagingMethods	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IDCP-2218	文件：106.45 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors-Non-Shielded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IDCP-2218	文件：106.45 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors-Non-Shielded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IDCP-2218	文件：244.54 Kbytes Page：2 Pages	SMDMagneticsPackagingMethods	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IDCP-2218	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
HAT2218R
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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