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HAT2165H

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 7 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.5 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

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RENESAS

瑞萨

HAT2165H

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT2165H_05

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT2165H_15

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RENESAS

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HAT2165H-E

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

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HAT2165H-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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瑞萨

HAT2165H

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    LFPAK

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    30

  • ID (A):

    55

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    5.3

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    3.3

  • Ciss (pF) 典型值:

    5180

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    30

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    33

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas(瑞萨)
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更多HAT2165H供应商 更新时间2025-12-24 10:45:00