选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
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RENESASSOT-669 |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
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RENESASSOT669 |
5000 |
1832+ |
公司原装现货,可来看货! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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RENESASSOT669 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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RENESASLFPAK4 |
15000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
2760 |
23+ |
绝对原装公司现货!17年VIP信誉保证! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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RENESAS/瑞萨SOT-669 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
9000 |
21+ |
保证原装正品深圳现货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
15000 |
23+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
4416 |
19+/20+ |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
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RENESAS/瑞萨23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
829 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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RENESASSOT669PB |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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RENESASLEPAK |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
4232 |
2020+ |
原装正品 公司现货 价格优惠 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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RENESAS/瑞萨SOT669 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
7498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
HAT2165H采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HAT2165H图片
HAT2165H中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT2165H功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT2165H-E制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 55A 5PIN LFPAK - Tape and Reel
HAT2165H-EL-E功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件