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HAT2143H-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:55.7 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

INA2143

High-Speed, Precision, G = 10 or G = 0.1 DIFFERENCE AMPLIFIERS

文件:152.56 Kbytes 页数:12 Pages

BURR-BROWN

INA2143

DIFFERENCE AMPLIFIERS

文件:331.61 Kbytes 页数:15 Pages

TI

德州仪器

INA2143

High-Speed, Precision, G = 10 or G = 0.1 DIFFERENCE AMPLIFIERS

FEATURES DESIGNED FOR LOW COST G = 10V/V or G = 0.1V/V SINGLE, DUAL VERSIONS LOW OFFSET VOLTAGE: ±250mV max, ±3mV/°C max LOW GAIN ERROR: 0.01% HIGH SLEW RATE: 5V/ms FAST SETTLING TIME: 9ms to 0.01% LOW QUIESCENT CURRENT: 950mA WIDE SUPPLY RANGE: ±2.25V to ±18V SO-8 and SO-14 PAC

文件:635.7 Kbytes 页数:22 Pages

TI

德州仪器

详细参数

  • 型号:

    HAT2143H-EL-E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 40A 5LFPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
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RENESAS/瑞萨
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更多HAT2143H-EL-E供应商 更新时间2025-12-24 11:01:00