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HAT2099H-EL-E	文件：90.51 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：90.51 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
MIC2099	文件：1.20593 Mbytes Page：25 Pages	Current-Limiting Power Distribution Switches General Description The MIC2095/97/98/99 family of switches are self contained, current-limiting, high-side power switches, ideal for power-control applications. These switches are useful for general purpose power distribution applications such as digital televisions (DTV), printers, set-top boxe 文件：1.20593 Mbytes 页数：25 Pages	MICREL 麦瑞半导体	MICREL
TA2099F	文件：697.86 Kbytes Page：19 Pages	AM/FM IFFM STEREO DETECTOR (FOR DIGITAL TUNING SYSTEM) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：697.86 Kbytes 页数：19 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TA2099N	文件：697.86 Kbytes Page：19 Pages	AM/FM IFFM STEREO DETECTOR (FOR DIGITAL TUNING SYSTEM) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：697.86 Kbytes 页数：19 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
HAT2099H-EL-E
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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