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HAT2129H

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:89.34 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2129H_15

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:108.94 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2129H-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:89.34 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2129H

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    LFPAK

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    40

  • ID (A):

    30

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    7.5

  • Ciss (pF) 典型值:

    3200

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    3.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    20

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    46

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEXPERIA/安世
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RENESAS/瑞萨
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