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HAT2070R

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 11 mΩ typ (at VGS = 10V)

文件:66.45 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2070R

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:89.85 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2070R

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.38848 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

HAT2070R_05

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:89.85 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2070R_15

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:109.55 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2070R-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:89.85 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2070R

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    SOP8

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    30

  • ID (A):

    12

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    22

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    14

  • Ciss (pF) 典型值:

    1400

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    2.5

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOP8
120000
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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