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HAT2070R-EL-E	文件：89.85 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.85 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
MBR2070CT	文件：87.82 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??Power Rectifiers SWITCHMODE™ Power Rectifiers . . . using the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state–of–the–art devices have the following features: • 20 Amps Total (10 Amps Per Diode Leg) • Guard–Ring for Stress Protection • Low Forward Voltage • 150°C Operating Junction Temper 文件：87.82 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
NJM2070D	文件：127.85 Kbytes Page：4 Pages	LOW VOLTAGE POWER AMPLIFIER 文件：127.85 Kbytes 页数：4 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
NJM2070M	文件：127.85 Kbytes Page：4 Pages	LOW VOLTAGE POWER AMPLIFIER 文件：127.85 Kbytes 页数：4 Pages	NJRC 日本无线	NJRC

详细参数

型号：
HAT2070R-EL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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