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HAT2036R-EL-E	文件：63.29 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 12 mΩ typ • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • High speed switching tf = 60 ns typ. 文件：63.29 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HV2036	文件：531.43 Kbytes Page：2 Pages	Half Bridge Type High Voltage Rectifier 文件：531.43 Kbytes 页数：2 Pages	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
HV2036	文件：481.98 Kbytes Page：1 Pages	2.0A 2x36kV--High Voltage Half Bridge Rectifier 文件：481.98 Kbytes 页数：1 Pages	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
IPP-2036	文件：80.33 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE COUPLER 文件：80.33 Kbytes 页数：1 Pages	IPP	IPP

详细参数

型号：
HAT2036R-EL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT2036R-EL-E供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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