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HAT2057RA

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Capable of 1.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting

文件:63.38 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2057RA

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.40563 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

HAT2057RA_15

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

文件:87.62 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2057RA

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    SOP8

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Dual

  • VDSS (V) 最大值:

    20

  • ID (A):

    4

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    33

  • Ciss (pF) 典型值:

    1100

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    0.9

  • VGSS (V):

    6

  • Pch (W):

    2

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOP-8
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