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HAT2040R	文件：49.85 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on)=6.2m typ 文件：49.85 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2040R	文件：63.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 6.2 mΩ typ • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：63.08 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2040R	文件：920.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：920.05 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
HAT2040R-EL-E	文件：63.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 6.2 mΩ typ • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：63.08 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2040R_15	文件：81.93 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：81.93 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2040R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

更多HAT2040R供应商更新时间2025-10-8 14:00:00