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HAT2096H-EL-E	文件：85.34 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2096	文件：22.81 Kbytes Page：1 Pages	PhenolicBoxWithDoubleBananaPlugs	POMONA Pomona Electronics
2096	文件：110.95 Kbytes Page：2 Pages	HEXMALE/FEMALESTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2096	文件：311.06 Kbytes Page：1 Pages	MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2096	文件：1.36445 Mbytes Page：8 Pages	3M??ReusableRespirators	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
2096E	文件：124.36 Kbytes Page：11 Pages	In-SystemProgrammableSuperFAST??HighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
2096E	文件：142.77 Kbytes Page：11 Pages	In-SystemProgrammableSuperFAST??HighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
2096VE	文件：160.57 Kbytes Page：12 Pages	3.3VIn-SystemProgrammableSuperFAST??HighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
2096VL	文件：142.83 Kbytes Page：11 Pages	2.5VIn-SystemProgrammableSuperFAST??HighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
BNC-2096	文件：47.87 Kbytes Page：2 Pages	InterfaceAccessoryforClass1TEDSSensors	NI National Instruments Inc.
CT2096LPST-ND	文件：328.26 Kbytes Page：1 Pages	DIPSwitches	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
CT2096MS-ND	文件：328.26 Kbytes Page：1 Pages	DIPSwitches	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
CXA2096	文件：290.16 Kbytes Page：16 Pages	DigitalCCDCameraHeadAmplifier Description TheCXA2096NisabipolarICdevelopedasaheadamplifierfordigitalCCDcameras.ThisICprovidesthefollowingfunctions:correlateddoublesampling,AGCfortheCCDsignal,A/Dsampleandhold,blanking,A/Dreferencevoltage,andanoutputdriver. Features •Highsensitivitym	SonySONY 索尼
CXA2096N	文件：290.16 Kbytes Page：16 Pages	DigitalCCDCameraHeadAmplifier Description TheCXA2096NisabipolarICdevelopedasaheadamplifierfordigitalCCDcameras.ThisICprovidesthefollowingfunctions:correlateddoublesampling,AGCfortheCCDsignal,A/Dsampleandhold,blanking,A/Dreferencevoltage,andanoutputdriver. Features •Highsensitivitym	SonySONY 索尼
D2096	文件：313.07 Kbytes Page：5 Pages	TRANSISTORNPN Features •availableinHRTpackage •lowcollectorsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.3VatIC/IB=2A/0.2A •excellentcurrent-to-gaincharacteristics •largecollectorloss:Pc=1.8W •widesafeoperatingarea(SOA) Applications •lowfrequencypoweramplifier	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
ENA2096	文件：149.28 Kbytes Page：22 Pages	SerialFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ENA2096	文件：171.45 Kbytes Page：22 Pages	4M-bit(512K횞8)SerialFlashMemory	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
HAT2096H	文件：85.34 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HAT2096H	文件：94.11 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
HID2096	文件：928.93 Kbytes Page：5 Pages	VoltageRepeater	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福（北京）过程自动化倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司

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详细参数

型号：
HAT2096H-EL-E
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HAT2096H-EL-E	RENESAS	23+	TO-252	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
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更多HAT2096H-EL-E供应商更新时间2024-4-27 15:30:00

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