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HAT2028R-EL-E	文件：101.05 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code “J”) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：101.05 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2028RJ	文件：60.66 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application ( at Type Code “J “) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：60.66 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
HAT2028RJ	文件：101.05 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code “J”) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：101.05 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2028RJ	文件：2.09604 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：2.09604 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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