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HAT2036R	文件：30.31 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)=12mΩ typ • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • High speed switching tf=60ns typ. 文件：30.31 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2036R	文件：63.29 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 12 mΩ typ • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • High speed switching tf = 60 ns typ. 文件：63.29 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2036R-EL-E	文件：63.29 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 12 mΩ typ • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • High speed switching tf = 60 ns typ. 文件：63.29 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2036R_15	文件：82.03 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：82.03 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2036R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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