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HAT1091C-EL-E	文件：73.85 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HO1091	文件：485.1 Kbytes Page：2 Pages	1090.0MHzSAWOscillator	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
IPP-1091	文件：67.27 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE4WAY	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
ISF1091	文件：344.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LMV1091	文件：805.77 Kbytes Page：22 Pages	DualInput,FarFieldNoiseSuppressionMicrophoneAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV1091	文件：859.65 Kbytes Page：20 Pages	DualInput,FarFieldNoiseSuppressionMicrophoneAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV1091TM	文件：859.65 Kbytes Page：20 Pages	DualInput,FarFieldNoiseSuppressionMicrophoneAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV1091TM/NOPB	文件：805.77 Kbytes Page：22 Pages	DualInput,FarFieldNoiseSuppressionMicrophoneAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV1091TMSLASHNOPB	文件：805.77 Kbytes Page：22 Pages	DualInput,FarFieldNoiseSuppressionMicrophoneAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV1091TMX	文件：859.65 Kbytes Page：20 Pages	DualInput,FarFieldNoiseSuppressionMicrophoneAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
HAT1091C-EL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳诚思涵科技有限公司	HAT1091C-EL-E	Renesas	16+	CMFPAK6	85400	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	HAT1091C-EL-E	RENESAS	23+	SOT23-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多HAT1091C-EL-E供应商更新时间2025-6-6 14:00:00

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