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HAT2016R	文件：53.55 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：53.55 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2016R	文件：96.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：96.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2016R	文件：1.16089 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.16089 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HAT2016R-EL-E	文件：96.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：96.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2016R_15	文件：115.62 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：115.62 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2016RJ	文件：1.16088 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.16088 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HAT2016R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

更多HAT2016R供应商更新时间2025-10-11 18:03:00