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UG2126TB-E3	文件：223.59 Kbytes Page：11 Pages	Marking：G2K；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD1,2,3=3.1to4.4V(3.6VTYP.) •Lowoperationcurrent:IDD1=16mATYP.@VDD1=3.6V,f=925MHz,Pout=+8dBm :IDD2=28mATYP.@VDD2,3=3.6V,f=1441MHz,Pout=+8dBm •Highpowergain:GP1=16dBTYP.@VDD1=3.6V,f=925MHz,Pin=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
G2KF	文件：85.2 Kbytes Page：3 Pages	Marking：G2K；SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIERS	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
G2K2P10D3E	文件：648.9 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K2P10；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K2P10D3Eusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K2P10S2E	文件：834.14 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K2P10S2；Package：SOP-8Dual；Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K2P10S2Eusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K2P10SE	文件：809.56 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K2P10；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K2P10SEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10G	文件：961.46 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-89；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10Gusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10H	文件：982.02 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10Husesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10HA	文件：1.22021 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10HAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10L6	文件：924.54 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-23-6-Dual；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10L6usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K6P25K	文件：626.61 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K6P25；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K6P25Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
G2K
功能描述：
整流器 800 Volt 2.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

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