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UG2126TB-E3	文件：223.59 Kbytes Page：11 Pages	丝印：G2K；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD1,2,3=3.1to4.4V(3.6VTYP.) •Lowoperationcurrent:IDD1=16mATYP.@VDD1=3.6V,f=925MHz,Pout=+8dBm :IDD2=28mATYP.@VDD2,3=3.6V,f=1441MHz,Pout=+8dBm •Highpowergain:GP1=16dBTYP.@VDD1=3.6V,f=925MHz,Pin=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UG2126TB-E3

文件：223.59 Kbytes

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丝印：G2K；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VDD1,2,3=3.1to4.4V(3.6VTYP.) •Lowoperationcurrent:IDD1=16mATYP.@VDD1=3.6V,f=925MHz,Pout=+8dBm :IDD2=28mATYP.@VDD2,3=3.6V,f=1441MHz,Pout=+8dBm •Highpowergain:GP1=16dBTYP.@VDD1=3.6V,f=925MHz,Pin=

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