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G2K3N10L6	文件：924.54 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G2K3N10；Package：SOT-23-6-Dual；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2K3N10L6 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：924.54 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10L6	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N+N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2R-1-24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	OMRON DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司	OMRON
G2R-1-DC24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	OMRON DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司销售二部	OMRON
G2R-1-E-DC12V	文件：0 bytes Page：0 Pages	欧姆龙 DIP	欧姆龙上传：深圳市昊创电子有限公司	欧姆龙

技术参数

Package：
SOT-23-6L DUAL
Type：
N+N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
100
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
3
Pd(W)：
1.67
Vgs(th)max(V)：
2.2
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
180
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
190
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
220
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
230
Qg(nC)：
4.8
Qgs(nC)：
1.2
Qgd(nC)：
1.7
Ciss(pF)：
536
Crss(pF)：
52
Technology：
TRENCH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G2K3N10L6供应商更新时间2025-10-8 11:19:00

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