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G2K3N10L6

Marking:G2K3N10;Package:SOT-23-6-Dual;Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG2K3N10L6usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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更多G2K3N10L6供应商 更新时间2025-5-8 15:20:00