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G2K6P25	文件：976.34 Kbytes Page：6 Pages	型号：G2K6P25T；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K6P25Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K6P25	文件：1.24652 Mbytes Page：6 Pages	型号：G2K6P25TA；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K6P25TAusesadvancedtrenchtechnologytoprovid eexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K8P15	文件：606.06 Kbytes Page：6 Pages	型号：G2K8P15K；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K8P15Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K8P15	文件：1.06869 Mbytes Page：6 Pages	型号：G2K8P15S；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K8P15Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeused inawidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2KF	文件：1.55975 Mbytes Page：3 Pages	型号：G2KF；Package：SMAF；Surface Mount Tension Resolution G2AF Through G2MF FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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