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FMMT493	文件：1.81616 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT493	文件：1.60117 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT493	文件：211.44 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementaryTypeFMMT593	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
FMMT493	文件：393.62 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementaryTypeFMMT593	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
FMMT493	文件：144.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493	文件：123.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493A	文件：146.46 Kbytes Page：6 Pages	SOT2360VNPNSILICONPLANAR Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •VCESAT=0.5V@1A •500mWPowerDissipation •LowSaturationVoltage •HighhFEMin300@250mA •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493A	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERPLANARTRANSISTOR Description: This60VNPNtransistorprovidesuserswithperformancecombininglowsaturationandhighhFEwithacontinuouscurrentcapabilityof1A,ensuringimprovedcircuitefficiencies. Features Lowsaturationvoltage HighhFEmin300@250mA IC=1A Applications	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493A	文件：457.57 Kbytes Page：7 Pages	120VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493ATA	文件：457.57 Kbytes Page：7 Pages	120VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493ATA	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERPLANARTRANSISTOR Description: This60VNPNtransistorprovidesuserswithperformancecombininglowsaturationandhighhFEwithacontinuouscurrentcapabilityof1A,ensuringimprovedcircuitefficiencies. Features Lowsaturationvoltage HighhFEmin300@250mA IC=1A Applications	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493ATC	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERPLANARTRANSISTOR Description: This60VNPNtransistorprovidesuserswithperformancecombininglowsaturationandhighhFEwithacontinuouscurrentcapabilityof1A,ensuringimprovedcircuitefficiencies. Features Lowsaturationvoltage HighhFEmin300@250mA IC=1A Applications	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493-G	文件：157.02 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -ComplementarytypeFMMT593 -Lowsaturationvoltage -HighhFEMax.300@250mA -IC=1A	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493TA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493TA	文件：731.27 Kbytes Page：26 Pages	iMOTION™ModularApplicationDesignKit Eval-M1-CM610N3isanevaluationboardformotordriveapplicationsbasedona3-phaseIPM.Combinedina kitwithoneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon'sIPMtechnologyformotor drives.ThekitdemonstratesInfineon’sIPMtechnologyformotordrives. Mainfeat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FMMT493TA	文件：1.75251 Mbytes Page：41 Pages	iMOTION™ModularApplicationDesignKit Eval-M3-CM615PNisanevaluationboardformotordriveapplicationswithsinglephasePFCintegrated3phase IPM.CombinedinakitwithoneoftheavailableMADKcontrolboardoptions,itdemonstratesInfineon’smotion controlICandIPMtechnologyformotordriveswithsinglephasePFC. Main	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FMMT493TA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT493TC	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
FZT493A
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FZT493A供应商更新时间2024-6-3 13:49:00

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