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FZT558TA

400V PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features • BVCEO > -400V • IC = -200mA High Continuous Current • Excellent hFE Characteristics up to -100mA • Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:378.65 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

FZT558TA

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 400V 0.2A SOT223-3

DIODES

美台半导体

G558

Current-Limit Switches

文件:98.69 Kbytes 页数:1 Pages

GMT

致新科技

GBC558

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:184.72 Kbytes 页数:2 Pages

GTM

勤益投资控股

GBC558

The GBC558 is designed for drive and output-stages of audio amplifiers

文件:186.92 Kbytes 页数:2 Pages

ETL

亚历电子

产品属性

  • 产品编号:

    FZT558TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 6mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS PNP 400V 0.2A SOT223-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES(美台)
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SOT-223-4
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更多FZT558TA供应商 更新时间2026-1-17 8:11:00