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FZT651QTA	文件：526.1 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > 60V • IC = 3A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：526.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT651QTA	文件：259.39 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 文件：259.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT651QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT651QTC	文件：259.39 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 文件：259.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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产品属性

产品编号：
FZT651QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
175MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 60V 3A SOT223-3

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