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FZT655TA	文件：216.93 Kbytes Page：7 Pages	150V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>150V •IC=1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltage •ComplementaryPNPType–FZT755 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT655TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 1A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
655	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
655H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ALC655	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC655-LF	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
AT655	文件：44.29 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto2800V Meanon-statecurrent1545A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors
C655	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures
CEB655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEF655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEI655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CM655	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company
CNS655-MU	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技

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产品属性

产品编号：
FZT655TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 150V 1A SOT223-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市德创芯微科技有限公司	FZT655TA	DIODES/美台	1614+	SOT-223	71328	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FZT655TA	Diodes Incorporated	23+	TO-261-4,TO-261AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FZT655TA	DIODES(美台)	23+	SOT-223	1612	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	FZT655TA	ZETEX/DIODES		SOT223	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳兆威电子有限公司	FZT655TA	DIODES	1802+	SOT-223-4	8311	只做原装正品	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	FZT655TA	DIODES/美台	2019+	SOT223	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市福田区晶康业电子商行	FZT655TA	DIODES	20+	SOT223	7400	全新原装,价格优势	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	FZT655TA	ZETEX	22+	SOT-223	3000	只做原装进口免费送样!!	询价
深圳市汇创佳电子科技有限公司	FZT655TA	DIODES(美台)	22+	SOT-223	167	QQ询价绝对原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FZT655TA	DIODES/美台	20+	SOT-223	120000	原装正品可含税交易	询价

更多FZT655TA供应商更新时间2024-4-27 14:00:00

产品属性

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