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FMMT493ATC	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR Description: This 60V NPN transistor provides users with performance combining low saturation and high hFE with a continuous current capability of 1A, ensuring improved circuit efficiencies. Features Low saturation voltage High hFE min 300 @ 250mA IC = 1A Applications 文件：163.23 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
FMMT493ATC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 1A SOT23-3	PAM 龙鼎微	PAM
FMMT493-G	文件：157.02 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor Features - Complementary type FMMT593 - Low saturation voltage - High hFE Max. 300@250mA - IC = 1A 文件：157.02 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：385.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Features ● BVCEO > 100V ● IC = 1A High Continuous Collector Current ● ICM = 2A Peak Pulse Current ● 500mW Power Dissipation ● hFE Characterised Up to 2A for High Current Gain Hold Up ● Complementary PNP Type: FMMT593 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) ● Haloge 文件：385.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT493ATC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 250mA，10V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

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