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FMMT494TC	文件：211.54 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature •BVCEO>120V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •hFEcharacterisedupto1Aforhighcurrentgainholdup •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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FMMT494TC	文件：386.61 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT494TC	文件：211.54 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT494TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FRJAE-494	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
G494SD	文件：317.88 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNT,SCHOTTKYBARRIERDIODEVOLTAGE40V,CURRENT0.4A	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G494SD	文件：320.06 Kbytes Page：2 Pages	TheG494SDisdesignedforlowpowerrectification	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GDTL494	文件：245.04 Kbytes Page：5 Pages	VOLTAGEMODEPWNCONTROLCIRCUIT	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GDTL494	文件：251.53 Kbytes Page：5 Pages	VOLTAGEMODEPWMCONTROLCIIRCUIIT	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL

产品属性

产品编号：
FMMT494TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 250mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 120V 1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMMT494TC供应商更新时间2025-7-23 10:12:00

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