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FMMT591ATA	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPsiliconplanarmediumpowertransistor Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591ATC	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591CSM	文件：15.69 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
FMMT591-MY	文件：1.97968 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT591Q	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591Q	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591QTA	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
FMMT591ANTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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