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FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TC	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591	文件：41.62 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR COMPLEMENTARYTYPEFZT491 PARTMARKINGDETAIL-FZT591	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT591	文件：52.39 Kbytes Page：1 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591	文件：365.84 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistors ■Features ●PowerCollectordissipation:PC=2W ●ContinuousCollectorCurrent:IC=-1A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT591A	文件：415.01 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES LowequivalentonresistanceRCE(sat)=350mat1A PARTMARKINGDETAIL-FZT591A COMPLEMENTARYTYPE-FZT491A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

产品属性

产品编号：
FMMT591QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

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深圳宇航军工半导体有限公司	FMMT591QTA	DIODES	19+	SOT23	71628	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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