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FMMT5179TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
KSP5179	文件：26.19 Kbytes Page：3 Pages	HighFrequencyTransistor HighFrequencyTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KST5179	文件：44.99 Kbytes Page：3 Pages	RFAmplifierTransistor RFAmplifierTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBR5179	文件：33.4 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERTRANSISTOR RFAMPLIFIERTRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBR5179	文件：600.78 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features HighfT,smallNF. Applications Highfrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5179	文件：122.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNRFTransistor Description ThisdeviceisdesignedforuseinlownoiseUHF/VHFamplifiers withcollectorcurrentsinthe100Ato30mArangeincommon emitterorcommonbasemodeofoperation,andinlowfrequency drift,highouputUHFoscillators.SourcedfromProcess40. Features •ThisDevicesisPb−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5179	文件：51.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNRFTransistor ThisdeviceisdesignedforuseinlownoiseUHF/VHFamplifierswithcollectorcurrentsinthe100µAto30mArangeincommonemitterorcommonbasemodeofoperation,andinlowfrequencydrift,highouputUHFoscillators.SourcedfromProcess40.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5179	文件：490.36 Kbytes Page：12 Pages	NPNRFTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPS5179	文件：135.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHFREQUENCYTRANSISTOR FEATURES HIGHfT=900MHzMIN MAXCAPACITANCE=1pF LOWNOISE5dB APPLICATIONS CORDLESSTELEPHONES KEYLESSENTRYSYSTEMS WIDEBANDINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS TELEMETRY WIRELESSLANS REMOTEMETERING TAGGING	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
MPS5179	文件：96.16 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyTransistor(NPNSilicon) NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FMMT5179TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
2GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
4.5dB @ 200MHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
330mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 3mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMMT5179TC供应商更新时间2025-7-16 8:23:00

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