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MMBR5179	文件：33.4 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER TRANSISTOR RF AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：33.4 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBR5179	文件：600.78 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High fT, small NF. Applications High frequency amplifier applications. 文件：600.78 Kbytes 页数：5 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MMBR5179	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
MMBR5179LT1	文件：47.23 Kbytes Page：2 Pages	RF AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for small–signal amplification at frequencies to 500 MHz. Specifically packaged for use in thick and thin–film circuits using surface mount components. • High Gain — Gpe = 15 dB Typ @ f = 200 MHz • Low Noise — NF = 4.5 dB Typ @ f = 200 文件：47.23 Kbytes 页数：2 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMBR5179LT1	文件：327.41 Kbytes Page：1 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION The MMBR5179LT1 is a low noise, high gain, discrete silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages. KEY FEATURES ◾ High FTau-1.4GHz ◾ Low noise-4.5dB@200MHz ◾ Low cost SOT23 package APPLICATIONS/BENEFITS ◾ LNA, Oscillator, Pre-Driver 文件：327.41 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MMBR5179LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS	Microchip 微芯科技	Microchip

晶体管资料

型号：
MMBR5179
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_宽频带放大（A）
封装形式：
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CG44A,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0.2

技术参数

PC：
375 (mW)
IC：
50 (mA)
VCBO：
30 (V)
VCEO：
15 (V)
VEBO：
3 (V)
VCE(sat)：
0.4 (V) 10 IC(mA) 1 IB(mA)
hFE：
1 VCE (V) 3 IC(mA) 30 MIN. 250 MAX.
fT：
1400* (MHz)
封装：
SOT-23 Package

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