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FZT591ATC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
HECX591	文件：345.93 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：345.93 Kbytes 页数：4 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
HMC591	文件：390.76 Kbytes Page：8 Pages	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 10.0 GHz 文件：390.76 Kbytes 页数：8 Pages	HITTITE	HITTITE
HMC591	文件：298.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6 - 10 GHz 文件：298.12 Kbytes 页数：8 Pages	HITTITE	HITTITE

产品属性

产品编号：
FZT591ATC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS PNP 40V 1A SOT223-3

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