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FZT653	文件：96.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR FEATURES * Low saturation voltage 文件：96.54 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FZT653	文件：108.31 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 3A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：108.31 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653	文件：38.84 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Planar High Performance Transistor Features ● Low saturation voltage 文件：38.84 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FZT653	文件：641.43 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR 文件：641.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 100V, 2A, SOT223	Diodes 美台半导体	Diodes
FZT653Q	文件：668.52 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 2A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：668.52 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653QTA	文件：668.52 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 2A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：668.52 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653TA	文件：289.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):0.3V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers 文件：289.25 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FZT653TA	文件：108.31 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 3A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：108.31 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653_15	文件：667.07 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 文件：667.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
FZT653Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
2 A
ICM (A)：
6 A
PD (W)：
2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
55
hFE(@ IC2)：
2 A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/100
VCE (SAT)(Max.2)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/200
fT (MHz)：
140 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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