首页>FZT653QTA>规格书详情

FZT653QTA中文资料PDF规格书

FZT653QTA
厂商型号

FZT653QTA

参数属性

FZT653QTA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

文件大小

668.52 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-18 14:11:00

FZT653QTA规格书详情

Features

• BVCEO > 100V

• IC = 2A High Continuous Current

• ICM = 6A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 300mV @ 1A

• Complementary PNP Type: FZT753

• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

产品属性

  • 产品编号:

    FZT653QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    175MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
23+
NA
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
询价
DIODES/美台
21+
SOT-223
22800
公司只做原装,诚信经营
询价
DIODES/美台
21+
SOT-223
8800
公司只做原装正品
询价
DIODES/美台
20+
SOT-223
120000
原装正品 可含税交易
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
DIODES/美台
22+
24000
询价拨打15919799957全天在线
询价
DIODES/美台
SOT-223
6000
询价
DIODES/美台
2023+
SOT-223
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
DIODES/美台
2023
3800
公司原装现货/支持实单
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223
12700
买原装认准中赛美
询价