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FZT653QTA	文件：668.52 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 2A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：668.52 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653TA	文件：641.43 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR 文件：641.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653TA	文件：108.31 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 3A High Continuous Current • ICM = 6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：108.31 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT653TA	文件：289.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):0.3V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers 文件：289.25 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
FZT653QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
175MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

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更多FZT653QTA供应商更新时间2026-1-29 14:00:00

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