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FZT657QTA

300V NPN MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

文件:639.8 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

FZT657QTA

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3

DIODES

美台半导体

FZT657TA

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件:100.21 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FZT657TA

300V NPN MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

文件:639.8 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

HMC657

WIDEBAND FIXED ATTENUATOR FAMILY, DC - 50 GHz

文件:345.26 Kbytes 页数:8 Pages

HITTITE

产品属性

  • 产品编号:

    FZT657QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FZT657QTA供应商 更新时间2026-1-29 14:00:00