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FZT688B	文件：97.11 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES * Extremely low equivalent on resistance; RCE(sat) 83mΩ at 3A * Gain of 400 at IC=3 Amps and very low saturation voltage APPLICATIONS * Flash gun convertors & Battery powered circuits 文件：97.11 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FZT688B	文件：663.72 Kbytes Page：7 Pages	12V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR Features • BVCEO > 12V • BVCBO > 12V • IC = 4A High Continuous Current • hFE > 400 @ 3A and Low Saturation Voltage • Extremely Low Equivalent On-Resistance; RCE(SAT) 83mΩ at 3A • Complementary PNP Type: FZT788B • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Fre 文件：663.72 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT688B	文件：37.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor Features ● Extremely low equivalent on resistance; RCE(sat)83mÙ at 3A. ● Gain of 400 at IC=3 Amps and very low saturation voltage. 文件：37.91 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FZT688B	文件：109.17 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR 文件：109.17 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FZT688B_15	文件：114.04 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR 文件：114.04 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT688BTA	文件：109.17 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR 文件：109.17 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FZT688B	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 12V, 4A, SOT223	Diodes 美台半导体	Diodes
FZT688BTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 4A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT688BTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 4A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
4
ICM (A)：
10
PD (W)：
2
hFE (Min)：
500
hFE (@ IC) (A)：
0.1
hFE(Min 2)：
400
hFE (@ IC2) (A)：
3
VCE(sat) Max (mV)：
40
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/1
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
350
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
3/20
fT (MHz)：
150
RCE(sat) (mΩ)：
83
Packages：
SOT223 (Type DN)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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