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FZT688BTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 4A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
KTB688	文件：284.18 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER) HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES • Complementary to KTD718. • Recommended for 45 ~ 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. 文件：284.18 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KTB688	文件：156.05 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type KTD718 APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier applications • Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications 文件：156.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KTB688B	文件：449.07 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES • Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. • Complementary to KTD718B. 文件：449.07 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

产品属性

产品编号：
FZT688BTC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 3A，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 12V 4A SOT223-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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