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FZT751	文件：97.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR 60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features •BVCEO> -60V •IC= -3A high Continuous Current •ICM= -6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：97.03 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FZT751	文件：121.14 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO> -60V • IC= -3A high Continuous Current • ICM= -6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：121.14 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT751	文件：37.7 Kbytes Page：2 Pages	High Performance Transistor Features ● 60 Volt VCEO. ● 3 Amp continuous current. ● Low saturation voltage. 文件：37.7 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FZT751	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V,3A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
FZT751	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 60V, 3A, SOT223	Diodes 美台半导体	Diodes
FZT751Q	文件：265.27 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -3A High Continuous Current • ICM = -6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：265.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT751QTA	文件：265.27 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -3A High Continuous Current • ICM = -6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：265.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT751QTC	文件：265.27 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -3A High Continuous Current • ICM = -6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：265.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT751TA	文件：121.14 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Features • BVCEO> -60V • IC= -3A high Continuous Current • ICM= -6A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：121.14 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT751_15	文件：582.92 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 文件：582.92 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
FZT751Q
Product Type：
PNP
IC (A)：
3 A
ICM (A)：
6 A
PD (W)：
2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
40
hFE(@ IC2)：
2 A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/5
VCE (SAT)(Max.2)：
600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
3/300
fT (MHz)：
100 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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