FZT751中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
FZT751 |
| 参数属性 | FZT751 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
| 功能描述 | SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| 文件大小 |
121.14 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
| 中文名称 | 达尔科技官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-4 19:22:00 |
FZT751规格书详情
Features
• BVCEO> -60V
• IC= -3A high Continuous Current
• ICM= -6A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -300mV @ -1A
• Complementary NPN Type: FZT651
• Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)
Applications
• Automotive lighting
• MOSFET and IGBT gate driving
产品属性
- 产品编号：
FZT751QTC
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
140MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
1822+ |
SOT-223 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FZT |
23+ |
3TO252 |
2560 |
优势库存 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
SOT223 |
8215 |
原厂原装 |
询价 | ||
ZETEX |
22+ |
35000 |
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PHILIPS |
21+ |
SOT-223 |
1202 |
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ZETEX |
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23+ |
SOT223 |
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2018+ |
SMD |
20000 |
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ZETEX |
16+ |
SOT-223 |
699 |
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ZETEX |
24+ |
SOT223 |
860000 |
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询价 |
