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DIODES(美台)SOT-223

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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FZT753TC

DIODES(美台)SOT-223

6895

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深圳博中泰实业有限公司

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DIODES/美台SOT-223

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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DIODES/美台NA

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深圳市川科科技有限公司

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FZT753TC

DIODES-美台SOT-223

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FZT753TC

Diodes IncorporatedTO-261-4 TO-261AA

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上海金庆电子技术有限公司

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DIODESSOT-223

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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FZT753TC

DIODESINCNA

4000

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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FZT753TC

N/ASMD

100500

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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FZT753TC

DIODES/美台NA

6000

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深圳市威雅利发展有限公司

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FZT753TC

ZETEX,DIODESTSSOP-14

8000

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深圳市宸远科技有限公司

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-NA

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深圳市科雨电子有限公司

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FZT753TC

DIODESSOT-223

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FZT753TC-79

-NA

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FZT753TC功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    FZT753TC

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 200mA，2A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，2V

  • 频率 - 跃迁：

    140MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供应商器件封装：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 2A SOT223-3

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