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CX-493	文件：8.18916 Mbytes Page：24 Pages	AmplifierBuilt-inCompactPhotoelectricSensor	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
CX-493-P	文件：8.18916 Mbytes Page：24 Pages	AmplifierBuilt-inCompactPhotoelectricSensor	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
DBCTB493	文件：431.66 Kbytes Page：3 Pages	TERMINALBLOCKS7.5mmPITCH90MOUNT	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER
DXT493	文件：173.02 Kbytes Page：1 Pages	REDUCEDHEIGHT	DUBILIERDUBILIER DUBILIER	DUBILIER
EE-SX493	文件：78.99 Kbytes Page：3 Pages	Opto-Switch	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
EE-SX493	文件：202.71 Kbytes Page：4 Pages	Photomicrosensor(Transmissive)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
FCX493	文件：51.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconPlanarMediumPowerTransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX493	文件：312.92 Kbytes Page：5 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethis100Vdeviceprovidesexcellenthighperformanceandisideallysuitedtoloadmanagementfunctions. FEATURES •1ampcontinuouscurrent •Lowsaturationvoltages APPLICATIONS •Loadmanagementfunctions •Solenoid,relayandactuatordrivers •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX493	文件：16.49 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR COMPLEMENTARYTYPE–FCX593 PARTMARKINGDETAIL–N93	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX493	文件：2.29447 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FCX493A	文件：296.64 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>60V •IC=1AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •HighGaindevice>500atIC=150mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX493ATA	文件：296.64 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>60V •IC=1AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •HighGaindevice>500atIC=150mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX493ATC	文件：296.64 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>60V •IC=1AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •HighGaindevice>500atIC=150mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX493TA	文件：312.92 Kbytes Page：5 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethis100Vdeviceprovidesexcellenthighperformanceandisideallysuitedtoloadmanagementfunctions. FEATURES •1ampcontinuouscurrent •Lowsaturationvoltages APPLICATIONS •Loadmanagementfunctions •Solenoid,relayandactuatordrivers •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX493TC	文件：312.92 Kbytes Page：5 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethis100Vdeviceprovidesexcellenthighperformanceandisideallysuitedtoloadmanagementfunctions. FEATURES •1ampcontinuouscurrent •Lowsaturationvoltages APPLICATIONS •Loadmanagementfunctions •Solenoid,relayandactuatordrivers •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FDZ493P	文件：421 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchBGAMOSFET-20V,-4.6A,46mohm GeneralDescription CombiningFairchildsadvanced2.5VspecifiedPowerTrench®processwithstateoftheartBGApackagingprocess,theFDZ493PminimizesbothPCBspaceandrDS(on).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellenttherma	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT493	文件：36.32 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Mediumpowertransistor.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT493	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip ProductOverview HM4002isalow-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip,whichcanbematchedwithinfraredsensorunitSimpleloadsensingON/OFFanddelaytimingfunctioncontrol;atthesametime,thechipbuilt-inhigh-precisionstableLDO2.6VoutputcanprovideRedpower	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
FMMT493	文件：528.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=250mW(Tamb=25℃) •Collectorcurrent:Ic=1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
FMMT493	文件：606.95 Kbytes Page：3 Pages	Lowequivalenton-resistance TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowequivalenton-resistance	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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详细参数

型号：
FZT493A
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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