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FDZ493P中文资料PDF规格书

FDZ493P
厂商型号

FDZ493P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET -20V, -4.6A, 46mohm

文件大小

421 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-23 22:30:00

FDZ493P规格书详情

General Description

Combining Fairchilds advanced 2.5V specified PowerTrench® process with state of the art BGA packaging process, the FDZ493P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, high current handing capability,ultra-low profile packaging, low gate charge, and low rDS(on).

Features

■ Max rDS(on) = 46mΩ at VGS = –4.5V, ID = –4.6A

■ Max rDS(on) = 72mΩ at VGS = –2.5V, ID = –3.6A

■ Occupies only 2.25 mm2 of PCB area. Less than 50 of the area of SSOT-6.

■ Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when mounted to PCB.

■ Outstanding thermal transfer characteristics:4 times better than SSOT-6.

■ Ultra-low Qg x rDS(on) figure-of-merit.

■ RoHS Compliant.

Application

■ Battery management

■ Load switch

■ Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDZ493P

  • 功能描述:

    MOSFET MFET -20V P-CH 2.5 V PowerTrench BGA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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