首页>FQU2N90TU_AM002>规格书详情
FQU2N90TU_AM002数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQU2N90TU_AM002规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.7A, 900V, RDS(on)= 7.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低（典型值：12nC)
•低 Crss（典型值5.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQU2N90TU_AM002
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 900V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：1.7
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：390
- Package Type
：IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-251 |
30000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INTERSIL |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
10080 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
FSC正品 |
25+23+ |
TO-251 |
25491 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 |
